Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18356Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Карежев, Х. М. | - |
| dc.contributor.author | Сохроков, А. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-11-24T07:50:34Z | - |
| dc.date.available | 2021-11-24T07:50:34Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Карежев Х.М. Влияние имплантации ионов молибдена на анодное поведение пленок алюминия / Х.М. Карежев, А.М. Сохроков // Вестник Северо-Кавказского федерального университета. – 2021. – № 1 (82). – С. 7-12 | ru |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.12258/18356 | - |
| dc.description.abstract | Методом измерения потенциостатических поляризационных кривых исследовано анодное поведение пленки алюминия в поверхность, которой имплантированы ионы молибдена. В статье показана закономерность зависимости электрохимических характеристик пленки алюминия от концентрации имплантированных ионов. Электронным ожеспектроскопическим анализом с послойным ионно-аргоновым травлением выявлено, что воздействие ионов молибдена на поверхность пленки алюминия приводит к формированию легированного примесями молибдена приповерхностного слоя и в электрохимическом процессе соединения окиси алюминия, и легирующей примеси | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.relation.ispartofseries | Вестник Северо-Кавказского федерального университета 2021. № 1 (82); | - |
| dc.subject | Пленки алюминия | ru |
| dc.subject | Ионное легирование | ru |
| dc.subject | Молибден | ru |
| dc.subject | Потенциостатические поляризационные кривые | ru |
| dc.subject | Анодное поведение | ru |
| dc.subject | Оже-спектры | ru |
| dc.subject | Щелочные электролиты | ru |
| dc.subject | Ионы молибдена | ru |
| dc.title | Влияние имплантации ионов молибдена на анодное поведение пленок алюминия | ru |
| dc.type | Статья | ru |
| Appears in Collections: | Вестник Северо-Кавказского федерального университета | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.