ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si

Abstract

Методом импульсного лазерного напыления в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси из мишени In0,02Ga0,98As впервые были получены тонкие пленки InGaAsN на подложках GaAs и Si . Мишень In0,02Ga0,98As формировалась методом одноосного прессования из порошков GaAs и InAs. Методами атомно силовой микроскопии и рентгеновской дифракции исследованы морфология поверхности и структура данных тонких пленок. Показано, что пленки In0,02Ga0,98As1-yNy на Si имеют средний размер кристалла 0,93 нм, а пленки и In0,02Ga0,98As1-yNy на GaAs — 0,99 нм. Определено, что уменьшение давления аргоно-азотной смеси при импульсном лазерном напылении тонких пленок 0,02 0,98 1-y y In Ga As N на подложках GaAs и Si приводит к снижению значения среднеквадратичной шероховатости поверхности. Наименьшую среднеквадратическую шероховатость равную 0,25 нм имела тонкая пленка In0,02Ga0,98As1-yNy на подложке GaAs, полученная в вакууме, наибольшую среднеквадратическую шероховатость имела тонкая пленка In0,02Ga0,98As1-yNy на подложке Si , полученная при давления аргоно-азотной смеси от 10 Па — 19,37 нм.