1. Репозиторий научных публикаций СКФУ
  2. Публикации сотрудников СКФУ
  3. Статьи, проиндексированные в SCOPUS, WOS
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/3467
Название: Modeling of Schottky barrier height and volt-amper characteristics for transition metal-solid solution (SiC)(1) (-) (x)(AlN)(x)
Авторы: Altukhov, V. I.
Алтухов, В. И.
Bilalov, B. A.
Билалов, Б. А.
Sankin, A. V.
Санкин, А. В.
Filipova, S. V.
Филипова, С. В.
Ключевые слова: Schottky barrier;Metal-semiconductor transitions;Silicon carbide;Solid solutions;Volt-amper characteristics
Дата публикации: 2016
Издатель: Sumy State University
Библиографическое описание: Altukhov, VI; Bilalov, BA; Sankin, AV; Filipova, SV. Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SiC)(1) (-) (x)(AlN)(x) // JOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS. - 2016. - Том: 8. - Выпуск: 4. - Номер статьи: 04003
Источник: Journal of Nano- and Electronic Physics
Краткий осмотр (реферат): Proposed nonlinear defect concentration model of metal-semiconductor contact. It is shown that taking into account nonlinear dependence of the Fermi energy EF defect concentration leads to higher barrier Schottky in 15-25 %. Calculated Volt-Amper characteristics of the diodes are consistent with experiment
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=27&SID=E57V5HcvS1OIs9XhLID&page=1&doc=1
http://hdl.handle.net/20.500.12258/3467
Располагается в коллекциях:Статьи, проиндексированные в SCOPUS, WOS

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
WoS 357 .pdf
  Доступ ограничен		463.1 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
scopusresults 1339 .pdf
  Доступ ограничен		64.36 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.