Репозиторий научных и учебно-методических публикаций
Северо-Кавказский федеральный университет
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/31858| Название: | Experimental Testing of Power Semiconductor Devices for Thermal Stability under Static and Dynamic Current Overloads |
| Авторы: | Khorol’skii, V. Y. Хорольский, В. Я. Isupova, A. M. Исупова, А. М. |
| Ключевые слова: | Power semiconductor devices;Nondestructive examination;Static and dynamic current overloads;Electronic equipment testing;Thermal stability;Current overloads |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Pleiades Publishing |
| Библиографическое описание: | Khorolsky, V. Y, Isupova, A. M., Yundin, K. M., Sharipov, I. K. Experimental Testing of Power Semiconductor Devices for Thermal Stability under Static and Dynamic Current Overloads // Russian Electrical Engineering. - 2025. - 96 (5). - pp. 359 - 363. - DOI: 10.3103/S1068371225700464 |
| Источник: | Russian Electrical Engineering |
| Краткий осмотр (реферат): | The justification of a system for diagnosing the technical condition of power semiconductor devices, based on the principles of nondestructive testing has been reviewed. An assessment of the current state of protection means for semiconductor products is given. The theoretical foundations forming the basis for the development of such systems are presented, along with the results of experimental studies on a prototype device. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/31858 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи, проиндексированные в SCOPUS, WOS |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| scopusresults 3664.pdf Доступ ограничен | 128.3 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.