1. Репозиторий научных публикаций СКФУ
  2. Публикации сотрудников СКФУ
  3. Статьи, проиндексированные в SCOPUS, WOS
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/11480
Название: Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate
Авторы: Devitsky, O. V.
Девицкий, О. В.
Sysoev, I. A.
Сысоев, И. А.
Kasyanov, I. V.
Касьянов, И. В.
Nikulin, D. A.
Никулин, Д. А.
Ключевые слова: Ion-beam deposition;Gallium nitride;Sapphire;Aluminum nitride;Wide-bandgap semiconductors
Дата публикации: 2019
Издатель: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER
Библиографическое описание: Lunin, LS; Devitskii, OV; Sysoev, IA; Pashchenko, AS; Kas'yanov, IV; Nikulin, DA; Irkha, VA. Ion-Beam Deposition of Thin AlN Films on Al2O3 Substrate // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. - 2019. - Том: 45. - Выпуск: 12. - Стр.: 1237-1240
Источник: Technical Physics Letters
Краткий осмотр (реферат): Thin aluminum nitride (AlN) films on sapphire (Al2O3) substrates were grown by means of ion-beam deposition (IBD) and studied by methods of scanning electron microscopy, Raman scattering, and optical transmission spectroscopy. Results revealed the influence of IBD process parameters (gas mixture composition, ion beam energy, and substrate temperature) on the morphology, structure, and optical properties of obtained thin AlN films on sapphire
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=17&SID=E1foOAlVMmMF3jxHUZa&page=1&doc=1
http://hdl.handle.net/20.500.12258/11480
Располагается в коллекциях:Статьи, проиндексированные в SCOPUS, WOS

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
WoS 777 .pdf
  Доступ ограничен		562.04 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
scopusresults 1296 .pdf
  Доступ ограничен		63.25 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.