Репозиторий научных и учебно-методических публикаций
Северо-Кавказский федеральный университет
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/14301| Название: | Obtaining SiC single crystals, and comparing characteristics of its solid solutions, films, Schottky diodes |
| Авторы: | Altukhov, V. I. Алтухов, В. И. Sysoev, D. K. Сысоев, Д. К. |
| Ключевые слова: | Schottky diodes;Obtaining single crystals;Solid solutions;Single crystals of SiC |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | IOP Publishing Ltd |
| Библиографическое описание: | Dadashev, R.H., Altukhov, V.I., Sankin, A.V., Sysoev, D.K., Elimkhanov, D.Z., Gudaev, M.-A.A., Uspazhiev, R.T. Obtaining SiC single crystals, and comparing characteristics of its solid solutions, films, Schottky diodes // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2020. - Volume 905. - Issue 1. - Номер статьи 012017 |
| Источник: | IOP Conference Series: Materials Science and Engineering |
| Краткий осмотр (реферат): | The main methods for producing 4H-SiC single crystals and films of its solid solutions are considered. A new technique for producing single crystals of SiC polytypes is described. A new nonlinear model of the Schottky barrier height (BS) has been developed, and the current-voltage characteristics of Schottky diodes have been obtained, their comparison with the I-V characteristics of silicon-based diodes has been made |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://hdl.handle.net/20.500.12258/14301 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи, проиндексированные в SCOPUS, WOS |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| scopusresults 1410 .pdf Доступ ограничен | 387.78 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.