Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/3689
Название: | Calculation of the Schottky barrier height at the contact between a metal and (SiC)1–x(AlN)x semiconductor solid solution |
Авторы: | Altukhov, V. I. Алтухов, В. И. Kasyanenko, I. S. Касьяненко, И. С. Sankin, A. V. Санкин, А. В. |
Ключевые слова: | Current voltage characteristics;Interface states;Semiconductor metal boundaries;Silicon carbide;Surface defects;Schottky barrier diodes |
Дата публикации: | 2015 |
Издатель: | Maik Nauka Publishing / Springer SBM |
Библиографическое описание: | Safaraliev, G.K., Bilalov, B.A., Kurbanov, M.K., Altukhov, V.I., Kas’yanenko, I.S., Sankin, A.V. Calculation of the Schottky barrier height at the contact between a metal and (SiC)1–x(AlN)x semiconductor solid solution // Russian Microelectronics. - 2015. - Volume 44. - Issue 6. - Pages 404-409 |
Источник: | Russian Microelectronics |
Краткий осмотр (реферат): | A simple model of the metal–semiconductor contact that is nonlinear in the concentration of defects when the Schottky barrier is formed by the surface defect states Ei localized at the interface has been proposed. It has been shown that taking into account the nonlinear dependence of the Fermi energy EF on the concentration of defects results in an increase in the Schottky barrier height by 15 to 25%. The calculated values of the Schottky barrier height have been used for the analysis of the current-voltage characteristics of M/(SiC)1–x(AlN)x structures. The theoretical results have been compared with the experimental data |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-84946115090&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&nlo=1&nlr=20&nls=afprfnm-t&affilName=north+caucasus+federal+university&sid=dc7f8c6f40c1112203ece798567bdeb2&sot=afnl&sdt=cl&cluster=scopubyr%2c%222015%22%2ct&sl=53&s=%28AF-ID%28%22North+Caucasus+Federal+University%22+60070541%29%29&relpos=8&citeCnt=0&searchTerm= http://hdl.handle.net/20.500.12258/3689 |
Располагается в коллекциях: | Статьи, проиндексированные в SCOPUS, WOS |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
scopusresults 655 .pdf Доступ ограничен | 283.75 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.