Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/538
Название: Study of the field emission graphene/SiC nanostructures using scanning probe microscopy
Авторы: Volkov, E. Y.
Волков, Е. Ю.
Ключевые слова: Current voltage characteristics;Field emission;Graphene;Hydrophobicity;Nanostructures;Scanning probe microscopy
Дата публикации: 2017
Издатель: Institute of Physics Publishing
Библиографическое описание: Jityaev, I.L., Svetlichnyi, A.M., Kolomiytsev, A.S., Volkov, Y.E., Polyakova, V.V., Ageev, O.A. Study of the field emission graphene/SiC nanostructures using scanning probe microscopy // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2017. - Volume 256. - Issue 1. - статья № 012021.
Источник: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
Краткий осмотр (реферат): We investigated the topology and electrical characteristics of the field emission graphene/SiC nanostructures using scanning probe microscopy. The effect of design of graphene/SiC nanostructures on field emission properties was estimated. The current-voltage characteristics were measured at different rounding-off radii of the emitting top and the interelectrode distances
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85034428005&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&nlo=1&nlr=20&nls=afprfnm-t&affilName=nort*+caucas*+fed*+univ*&sid=d5d8a0d301244722be90437f5b553481&sot=afnl&sdt=cl&cluster=scopubyr%2c%222017%22%2ct&sl=53&s=%28AF-ID%28%22North+Caucasus+Federal+University%22+60070541%29%29&relpos=18&citeCnt=0&searchTerm=
https://dspace.ncfu.ru:443/handle/20.500.12258/538
Располагается в коллекциях:Статьи, проиндексированные в SCOPUS, WOS

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
scopusresults (82).pdf
  Доступ ограничен
62.58 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
WoS 50 .pdf
  Доступ ограничен
554.87 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.