Репозиторий научных и учебно-методических публикаций
Северо-Кавказский федеральный университет
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/5459| Название: | Modeling of structural defects in silicon carbide |
| Авторы: | Sokolenko, E. V. Соколенко, Е. В. Slyusarev, G. V. Слюсарев, Г. В. |
| Ключевые слова: | Electron density;Impurity defects;Local levels;Nanoclusters;Vacancies;Silicon carbide |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Pleiades Publishing |
| Библиографическое описание: | Sokolenko, E.V., Slyusarev, G.V. Modeling of Structural Defects in Silicon Carbide // Inorganic Materials. - 2019. - Volume 55. - Issue 1. - Pages 19-31 |
| Источник: | Inorganic Materials |
| Краткий осмотр (реферат): | This paper reports DFT calculations of the electron density in pure and imperfect silicon carbide clusters. The local levels produced in the band gap by doping are shown to be determined predominantly by intrinsic states of the silicon and carbon |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065572605&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&st1=Modeling+of+Structural+Defects+in+Silicon+Carbide&st2=&sid=2baddd47ab8d40ac26e088b8dca66c22&sot=b&sdt=b&sl=64&s=TITLE-ABS-KEY%28Modeling+of+Structural+Defects+in+Silicon+Carbide%29&relpos=0&citeCnt=0&searchTerm= http://hdl.handle.net/20.500.12258/5459 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи, проиндексированные в SCOPUS, WOS |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| scopusresults 926 .pdf Доступ ограничен | 2.23 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть | |
| WoS 589 .pdf Доступ ограничен | 74.74 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.